长江存储科技股份有限公司 (YMTC) 慢慢的开始出货其第五代 3D NAND 存储器，该存储器共有 294 层，有 232 个活动层。海外的分析师已成功获得这些 IC 做多元化的分析。事实上，尽管美国对该公司实施了制裁，但长江存储已成功将位密度提高到行业同行的水平，同时还实现了最高的垂直栅极密度。

  该芯片的总层数（即每个垂直 NAND 串的门数）达到了惊人的 294 层，外媒称这是目前商用产品中最高的。长江存储第五代 3D NAND 的有效层数预计为 232 层，与该公司第四代 3D NAND 相同，后者总共有 253 层。增加总层数可能是通过增加冗余或启用某些功能来提高产量的一种方式。

  与其前代产品一样，3D NAND 器件采用串堆叠。不过，尚不清楚长江存储是使用两个约 147 层的阵列，还是使用多个层数较少的阵列。无论如何，294 层对于长江存储和整个闪存行业来说都是一个重要的里程碑。

  232 个活动层数并不是 3D NAND 的创纪录层数，但与竞争对手持平。目前，只有SK 海力士的 321 层第 9 代 3D NAND拥有超过 300 个活动层，尽管其出货将于今年上半年开始。294 个总层数的实现不仅使长江存储成为全世界 NAND 闪存市场的有力竞争者，也标志着在美国实施重大制裁的情况下，中国半导体行业取得了重大进展。

  长江存储凭借其第五代 232 层 3D TLC NAND 设备，接着使用混合键合技术将闪存阵列与 CMOS 逻辑和接口连接起来，这使该公司能够最大限度地提高存储密度和 I/O 性能，从而获得通常超越竞争对手的最佳SSD 。长江存储的 3D TLC NAND IC 使用Xtacking 4.0架构。

  长存的 232 层 3D NAND 每串有 294 个门，这对该公司乃至整个中国存储行业来说都是一个重要的里程碑。有必要注意一下的是，长江存储尚未正式公开宣布其第五代 3D TLC NAND 设备，而是悄悄开始批量出货。此举可能是为了尽最大可能避免引起美国政府的注意并冒进一步制裁的风险。

  长江存储线D NAND好不容易领先推出，却被米国制裁，进口设备没法再用，差点停摆。终于，以全国产设备制造出3D HAND 来了，而且基本赶上领先水平，令人振奋

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